HBM4 Samsung Resmi Diproduksi Massal, Bandwidth Tembus 3,3 TB/s untuk AI Super Cepat
Glitik - HBM4 Samsung resmi memasuki tahap produksi massal dan pengiriman perdana ke pelanggan global. Langkah strategis dari Samsung Electronics ini menandai babak baru dalam persaingan memori berkecepatan tinggi yang dirancang khusus untuk komputasi intensif dan kecerdasan buatan (AI).
HBM4 Samsung hadir sebagai High Bandwidth Memory generasi keempat dengan lonjakan performa signifikan.
Memori ini menawarkan kecepatan transfer data hingga 11,7 gigabit per detik (Gbps) per pin. Dengan total 2.048 pin, bandwidth yang dihasilkan mencapai 3,3 terabyte per detik (TB/s). Angka tersebut meningkat sekitar 2,7 kali lipat dibandingkan generasi sebelumnya, HBM3E.
Teknologi terbaru ini dibangun menggunakan proses DRAM kelas 10 nanometer generasi keenam yang disebut “1c”. Selain itu, Samsung mengombinasikannya dengan fabrikasi logic base die 4 nanometer. Kombinasi dua teknologi mutakhir tersebut memungkinkan performa lebih tinggi, stabilitas sistem yang lebih baik, serta efisiensi daya yang lebih optimal.
Dalam proses pengembangan, Samsung bahkan melampaui standar yang ditetapkan oleh JEDEC. Saat proses standardisasi HBM4 berlangsung, JEDEC menurunkan kecepatan bandwidth per pin dari 9,6Gbps pada HBM3E menjadi 8Gbps. Namun Samsung justru mampu menghadirkan performa hingga 11,7Gbps per pin. Perusahaan juga membuka peluang peningkatan kecepatan hingga 13Gbps pada tahap optimalisasi berikutnya.
Peningkatan jumlah pin menjadi 2.048 menjadi kunci lonjakan bandwidth tersebut. Strategi ini tidak hanya memperbesar kapasitas transfer data, tetapi juga membantu meningkatkan efisiensi daya dan pengendalian suhu. Dalam sistem komputasi beban tinggi seperti server AI dan pusat data, dua faktor tersebut sangat krusial.
Dari sisi kapasitas, HBM4 Samsung menggunakan teknologi stacking 12-layer dengan kapasitas memori mulai dari 24GB hingga 36GB. Perusahaan juga tengah menyiapkan desain 16-layer yang mampu mencapai kapasitas maksimal 48GB. Pendekatan ini memberikan fleksibilitas bagi produsen chip dan penyedia pusat data untuk menyesuaikan kebutuhan komputasi skala besar.
Efisiensi daya menjadi salah satu keunggulan utama HBM4. Samsung mencatat peningkatan efisiensi energi hingga 40 persen berkat penggunaan low-voltage through-silicon vias (TSV) serta desain power distribution network terbaru. Dari sisi termal, hambatan panas berkurang 10 persen dan kemampuan pembuangan panas meningkat hingga 30 persen dibandingkan HBM3E.
Permintaan pasar terhadap memori berkecepatan tinggi diproyeksikan meningkat tajam tahun ini. Samsung memperkirakan penjualan HBM4 dapat tumbuh hingga tiga kali lipat dibandingkan tahun sebelumnya. Untuk mengantisipasi lonjakan tersebut, perusahaan memperluas kapasitas produksi, terutama untuk memenuhi kebutuhan server pusat data dan perangkat AI.
Samsung juga telah menyiapkan pengembangan lanjutan melalui HBM4E. Sampel HBM4E dijadwalkan mulai dikirimkan pada paruh kedua tahun ini. Selain itu, perusahaan akan menyediakan solusi memori HBM yang dirancang khusus sesuai kebutuhan klien pada tahun berikutnya.
Menurut Sang Joon Hwang, Executive Vice President dan Head of Memory Development Samsung Electronics, pemilihan node fabrikasi 1c DRAM dan 4nm logic merupakan strategi agresif untuk memperluas ruang peningkatan teknologi di masa depan. Fokus perusahaan adalah menghadirkan performa maksimal sekaligus menjaga efisiensi energi.
Dengan produksi massal HBM4, Samsung mempertegas posisinya sebagai pemain utama di pasar memori berkecepatan tinggi. Teknologi ini menjadi fondasi penting bagi perkembangan AI, komputasi awan, serta pusat data berskala besar yang membutuhkan kecepatan dan stabilitas ekstrem.
